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osfet。當驅動 3000pf 負載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關損耗。集成自適應貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導通，從而最大限度地減少了死區時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關斷的三態 pwm 輸入，它與所有具備三態輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內驅動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅動標準 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 照片說明：同步 mosfet 驅動器用于 dc/dc 轉換器 性能概要：ltc4442/-1 · 同步 n 溝道 mosfet 驅動器 · 高驅動電流：提供 2.4a，吸收 5a · 自適應零貫通保護 ·
t。當驅動 3000pf 負載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關損耗。集成自適應貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導通，從而最大限度地減少了死區時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關斷的三態 pwm 輸入，它與所有具備三態輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內驅動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅動標準 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4442/-1性能概要 同步 n 溝道 mosfet 驅動器 高驅動電流：提供 2.4a，吸收 5a 自適應零貫通保護 高端 mosfet 柵極：驅動 3000pf 負載時，上升時間為 12ns，下降時間為 8ns 低端 mosfet
。當驅動 3000pf 負載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關損耗。集成自適應貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導通，從而最大限度地減少了死區時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關斷的三態 pwm 輸入，它與所有具備三態輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內驅動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅動標準 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4442/-1性能概要 同步 n 溝道 mosfet 驅動器 高驅動電流：提供 2.4a，吸收 5a 自適應零貫通保護 高端 mosfet 柵極：驅動 3000pf 負載時，上升時間為 12ns，下降時間為 8ns
當驅動 3000pf 負載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關損耗。集成自適應貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導通，從而最大限度地減少了死區時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關斷的三態 pwm 輸入，它與所有具備三態輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內驅動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅動標準 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4442/-1 采用耐熱增強型 msop-8 封裝，在 -40oc 至 85oc 的溫度范圍內工作，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.25 美元。 照片說明：同步 mosfet 驅動器用于 dc/dc 轉換器 性能概要
sfet。當驅動 3000pf 負載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關損耗。集成自適應貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導通，從而最大限度地減少了死區時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關斷的三態 pwm 輸入，它與所有具備三態輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內驅動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅動標準 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4442/-1 采用耐熱增強型 msop-8 封裝，在 -40oc 至 85oc 的溫度范圍內工作，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.25 美元。 性能概要：ltc4442/-1 ·同步 n 溝道 mosfet 驅動器
中作為基準電壓源或用在過電壓保護電路中作為保護二極管。 選用的穩壓二極管，應滿足應用電路中主要參數的要求。穩壓二極管的穩定電壓值應與應用電路的基準電壓值相同，穩壓二極管的最大穩定電流應高于應用電路的最大負載電流50%左右。 穩壓二極管的代換 穩壓二極管損壞后，應采用同型號穩壓二極管或電參數相同的穩壓二極管來更換。 可以用具有相同穩定電壓值的高耗散功率穩壓二極管來代換耗散功率低的穩壓二極管，但不能用耗散功率低的穩壓二極管來代換耗散功率高的穩壓二極管。例如，0.5w、6.2v的穩壓二極管可以用1w、6.2v穩壓二極管代換。 4、開關二極管的選用 開關二極管的作用是利用其單向導電特性使其成為一個較理想的電子開關。開關二極管除能滿足普通二極管和性能指標要求外，還具有良好的高頻開關特性（反向恢復時間較短），被廣泛應用于家電電腦、電視機、通信設備、家用音響、影碟機、儀器儀表、控制電路、各類高頻電路及電子設備有開關電路、檢波電路、高頻脈沖整流電路等。 開關二極管分為普通開關二極管、高速開關二極管、超高速開關二極管、低功耗開關二極管、高反壓開關二極管、硅
自適應貫通保護，以防止高端和低端 mosfet 同時導通，并最大限度縮短死區時間。該器件含有集成的自舉肖特基二極管，可簡化電路。 ltc4443/-1 包括一個三態 pwm 輸入以用于電源級停機，該輸入與所有具三態輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件還有一個單獨的電源，供輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，而且在驅動器和邏輯電源端都有欠壓閉鎖電路。此外，該器件在 6v 至 9.5v 范圍驅動高端和低端 mosfet 的柵極，并在電源電壓高達 38v 時工作。“-1”版本具有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，以用來驅動標準 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封裝，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 經過測試，保證在 -40℃ 至 85℃ 的工作溫度范圍內工作，千片批購價為 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 *同步 n 溝道 mosfet 驅動器
自適應貫通保護，以防止高端和低端 mosfet 同時導通，并最大限度縮短死區時間。該器件含有集成的自舉肖特基二極管，可簡化電路。 ltc4443/-1 包括一個三態 pwm 輸入以用于電源級停機，該輸入與所有具三態輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件還有一個單獨的電源，供輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，而且在驅動器和邏輯電源端都有欠壓閉鎖電路。此外，該器件在 6v 至 9.5v 范圍驅動高端和低端 mosfet 的柵極，并在電源電壓高達 38v 時工作。“-1”版本具有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，以用來驅動標準 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封裝，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 經過測試，保證在 -40℃ 至 85℃ 的工作溫度范圍內工作，千片批購價為 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 同步 n 溝道 mosfet 驅動器
自適應貫通保護，以防止高端和低端 mosfet 同時導通，并最大限度縮短死區時間。該器件含有集成的自舉肖特基二極管，可簡化電路。 ltc4443/-1 包括一個三態 pwm 輸入以用于電源級停機，該輸入與所有具三態輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件還有一個單獨的電源，供輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，而且在驅動器和邏輯電源端都有欠壓閉鎖電路。此外，該器件在 6v 至 9.5v 范圍驅動高端和低端 mosfet 的柵極，并在電源電壓高達 38v 時工作。“-1”版本具有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，以用來驅動標準 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封裝，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 經過測試，保證在 -40℃ 至 85℃ 的工作溫度范圍內工作，千片批購價為 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 同步 n 溝道 mosfet 驅動器
fet。當驅動 3000pf 負載時，12ns 快速上升時間以及高端 mosfet 的 8ns 下降時間和低端 mosfet 的 5ns 下降時間最大限度地降低了開關損耗。集成自適應貫通保護功能防止高端和低端mosfet同時導通，從而最大限度地減少了死區時間。 ltc4442/-1 具有一個用于電源級關斷的三態 pwm 輸入，它與所有具備三態輸出功能的多相控制器兼容。另外，該器件有一個單獨的電源，用于輸入邏輯與控制器集成電路的信號擺幅匹配，并在驅動器和邏輯電源端有欠壓閉鎖電路。該器件還在 6.2v 至 9.5v 的范圍內驅動高端和低端 mosfet 柵極，并在電源電壓高達 38v 時工作。ltc4442-1 版本有較高的 6.2v vcc 欠壓閉鎖，而不是 3.2v，用來驅動標準 5v 邏輯 n 溝道 mosfet。 ltc4442/-1 采用耐熱增強型 msop-8 封裝，在 -40oc 至 85oc 的溫度范圍內工作，以 1,000 片為單位批量購買，每片價格為 1.25 美元。
h-zhbi厚膜集成直流變換器能將+24±1v的直流輸入電壓變換成共地的±15v輸出電壓和一個-6.2v的基準電壓。它尤其是適用于3~4個運算放大器組成的控制系統的內饋電路用，也可供其它需要±15v供電的半導體器件使用。該變換器最大輸出電流為30ma,若內部取消6.2v檔則可增為40ma. 厚膜集成電路h-zhb1的管教排列如圖5-25所示。技術指標見表5-7所附。 工作原理如圖5-26所示。當厚膜集成電路h-zhb1的1腳和3腳接通24v直流電壓時，由調整管vt1的2腳輸出+15v直流電壓，經vt2,vt3差動放大且通過前置管vt4激勵互補對稱管vt5,vt6進行電壓放大，又經由c5,c6,vd3,vd4組成的倍壓整流，加到調整管vt7使4腳輸出-15v的直流電壓，在穩壓二極管vd7的5腳可取出-6.2v的直流電壓。若想獲取-5v的直流電壓，在h-zhb1的3腳串接兩只二極管vd8,vd9即可。 來源:陰雨
程，vt1迅速截止。vt1截止后，變壓器t1儲存的能量提供給負載，初級線圈np產生的1負2正的反向電壓經二極管vd3整流濾波后，在c4得到5.8v的直流電壓。通過手機的專用充電插頭給手機充電。 在vt1截止時，直流供電輸入電壓和nb感應的3負4正的電壓又經r1、r2給c2反向充電，逐漸提高vt1基極電位，使其重新導通，再次翻轉達到飽和狀態，電路就這樣重復振蕩下去。 vd1、vd2、c3等組成穩壓電路，在vt1截止期間，nb感應的3負4正的電壓經vd2向c3充電，當c3上的電壓(上負下正)大于6.2v時．穩壓二極管vd1開始導通起分流作用，減小vt1的基極電流，從而可以控制vt1的集電極電流ic，達到穩定輸出電壓的作用。 需要說明的是：由于輸入直流電壓低，不需要隔離，同時輸入直流電壓干和輸出直流電壓比較接近，因此高頻變壓器沒有設次級線圈，負載電路的能量直接從初級線圈獲取。這樣做有兩點好處：一是提高了電路的轉換效率，二是vd3、c4、r4等同時又組成了浪涌電壓吸收回路，吸收vt1截止瞬間產生的反向高壓。 元器件選擇與安裝調試: vt1要求icm>1a，hef為50～100，可用2s
45的基極上。當取樣電壓大約大于1.4v，即開關管電流大于0.14a時，三極管c945導通，從而將開關管13003的基極電壓拉低，從而集電極電流減小，這樣就限制了開關的電流，防止電流過大而燒毀(其實這是一個恒流結構，將開關管的最大電流限制在140ma左右)。 變壓器左下方的繞組(取樣繞組)的感應電壓經整流二極管4148整流，22uf電容濾波后形成取樣電壓。為了分析方便，我們取三極管c945發射極一端為地。那么這取樣電壓就是負的(-4v左右)，并且輸出電壓越高時，采樣電壓越負。取樣電壓經過6.2v穩壓二極管后，加至開關管13003的基極。前面說了，當輸出電壓越高時，那么取樣電壓就越負，當負到一定程度后，6.2v穩壓二極管被擊穿，從而將開關13003的基極電位拉低，這將導致開關管斷開或者推遲開關的導通，從而控制了能量輸入到變壓器中，也就控制了輸出電壓的升高，實現了穩壓輸出的功能。而下方的1kω電阻跟串聯的2700pf電容，則是正反饋支路，從取樣繞組中取出感應電壓，加到開關管的基極上，以維持振蕩。右邊的次級繞組就沒有太多好說的了，經二極管rf93整流，220uf電容濾波后輸出6v的電壓。沒找
如圖是溫度/電流轉換電路。圖（a）的溫度傳感器采用鉑熱電阻，電路中，鉑 熱電阻rt與普通電阻r1～r4構成橋式電路，橋路的輸出電壓為u。1。u。u。1=r1△rvref/（r1+100ω+△r）（r1+100ω）。式中，△r為鉑熱電阻的 阻值變化量，uref為6.2v的基準電壓。溫度范圍為0～60℃0。由表1中可知，△r=313.59ω-100ω=213.59ω，由于r1=27 kω，uref=6.2v，因 此，輸出電壓u。1=48.4mv。由于鉑熱電阻的非線性，電路中采用rp3進行非線性補償，實際的輸出電壓稍大于上述計算值。轉換電路采用專用 集成電路ad693ad，等效電路如圖（c）所示，片內有傳感器用的6.2v基準電壓，信號放大器以及4～20ma電流轉換電路。ad693ad的電壓輸入范圍有30 mv和60 mv兩種，用在15腳和16腳間接的電阻可在30～60 mv間進行調整，本電路采用rp2與r5將電壓調整約為 50mv。rp1用于調零。這樣，電路將鉑熱電阻檢測的溫度轉換為4～20 ma的電流進行遠距離的傳輸。 如表1 鉑熱電阻的溫度特性 圖（b）的溫度傳感器采用k熱電
v720由截止轉為導通的時刻，取決于t705中磁能的釋放及（1）、（12）繞組與c710、c711的諧振情況。 穩壓過程 穩壓電路由v745及周邊元件組成，t705的（7）、（8）繞組為取樣繞組，經v741整流、c745濾波，c745上的電壓反映了輸出電壓的大小，假如輸出電壓升高，則c745上的電壓也升高，v745的c極電壓升高，v725、v726提前導通，開關管提前截止，輸出電壓自動下降到110v。 保護電路 保護電路由v733、r734、v734等元件組成，v734為6.2v穩壓管，正常情況下，r742兩端的脈沖電壓為3.5v左右，v734不能導通，保護電路不工作，一旦發生輸出電壓過高，則r742兩端的脈沖電壓也升高，當升高到大于6.2v時，v734導通，v733也導通，將c732的正端短路接地，開關脈沖全部讓c732短路掉，開關電源停振。 待機/開機控制 待機時，cpu的power腳輸出高電平，v760的e極也為高電平，光耦v741導通，v735也導通，將c732的正端短路接地，開關脈沖全部讓c732短路掉，開關電源停振。開機時，cpu的power腳輸
圖中4148、22uf和變壓器的反饋繞組構成半波整流電路，整流后電壓對c045射極為負。6.2v穩壓管顯然使13003基極電壓不會超過這個負電壓再加6.2v。市電電壓升高，振蕩變強，這個負電壓也變大，但6.2v不會變，因此13003得到的基極驅動變負，使振蕩減弱。所以這部分電路有穩定輸出的作用。
說明按資料說，正常狀態，r22兩端應該在110mv,可實際卻不如此。1、剛上電時，1085輸出是6.2v，r22兩端是100mv，可是馬上1085輸出電壓、r22兩端電壓馬上降低，分別降到3點幾伏和20mv.2、換了另一批次的1085，現象又不一樣了。1085輸出一直維持6.2v，r22兩端電壓為110mv，但是2~5秒后1085就沒輸出了，過幾秒又有輸出了。我的電路是按標準電路接的，一直沒找到毛病，頭疼死了。后來我在1085輸出串了個10歐姆的電阻，則r22兩端電壓一直為20幾毫伏，還是不正常，但1085一直有輸出，為6.2v。大家指點指點。
三極管c945的基極上。當取樣電壓大約大于1.4v，即開關管電流大于0.14a時，三極管c945導通，從而將開關管13003的基極電壓拉低，從而集電極電流減小，這樣就限制了開關的電流，防止電流過大而燒毀(其實這是一個恒流結構，將開關管的最大電流限制在140ma左右)。變壓器左下方的繞組(取樣繞組)的感應電壓經整流二極管4148整流，22uf電容濾波后形成取樣電壓。為了分析方便，我們取三極管c945發射極一端為地。那么這取樣電壓就是負的(-4v左右)，并且輸出電壓越高時，采樣電壓越負。取樣電壓經過6.2v穩壓二極管后，加至開關管13003的基極。前面說了，當輸出電壓越高時，那么取樣電壓就越負，當負到一定程度后，6.2v穩壓二極管被擊穿，從而將開關13003的基極電位拉低，這將導致開關管斷開或者推遲開關的導通，從而控制了能量輸入到變壓器中，也就控制了輸出電壓的升高，實現了穩壓輸出的功能。而下方的1kω電阻跟串聯的2700pf電容，則是正反饋支路，從取樣繞組中取出感應電壓，加到開關管的基極上，以維持振蕩。右邊的次級繞組就沒有太多好說的了，經二極管rf93整流，220uf電容濾波后輸出6v的電壓。沒找
你的圖跟上面的圖不一樣。當比較器輸出高時，r8通過10k電阻和三極管be結到地。當比較器輸出低時，r8直接通過10k電阻到地。分析時，首先假設電壓在正常的范圍內。那么a1輸出低，a2輸出高。我們現在只看a2。由于a2是高，那么就是r8跟r11串聯后跟rp2并聯（忽略三極管be結壓降，更精確的計算需要考慮該壓降），假設rp2是10k，跟23k的電阻并聯后，是6.67k，當6.67k的電阻上電壓是6.2v時，上面的6.2k的電阻的電壓就是5.76v，那么過放動作點電壓就是6.2+5.76=11.96v。當低于此電壓后，a2翻轉，輸出低電平。此時rp2只跟r8并聯，即為5.65k，其兩端電壓為6.2v時，6.2k電阻上的電壓為6.8v，所以退出過放保護狀態的電壓為6.2+6.8=13v。如果按照樓主所給的圖上標的參數，rp2即使取到最大，過放保護電壓也調不到11.5v。過充保護分析方法類似。
可能遺漏點說明其實兩個輸入端的電壓就是在+6.2v左右波動的直流，一個輸入端來自整流濾波后的+15v分壓得到，另一個輸入端用穩壓管穩在6.2v。他這樣用應該是一種精確調整運放輸出吧，但具體分析思路不是很清晰。希望大家具體分析分析。謝謝啊！
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