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產(chǎn)品說明： nus3116整合了主電池開關(guān)、墻式充電開關(guān)和usb充電開關(guān)于一身，優(yōu)化手持電子產(chǎn)品的充電性能和節(jié)省彌足珍貴的電路板占用空間。 nus3116集成了主電源開關(guān)-12v、-6.2a的μcool單p溝道m(xù)osfet，處理主電池開關(guān)功能；還集成了兩個內(nèi)部低飽和pnp晶體管，處理雙溝道充電功能。其中，主開關(guān)mosfet的最大漏-源極導(dǎo)通阻抗(rds(on))為40m，盡量降低便攜電子產(chǎn)品電池工作期間的功率損耗。而兩個低vce(sat)晶體管為高達(dá)2a的充電電流提供良好的熱性能，且在充電結(jié)束時的vce電壓降低少于240mv。 nus3116采用無鉛型dfn-8封裝，僅占用9mm2電路板空間，與使用三顆tsop-6封裝需要互連空間的傳統(tǒng)解決方案相比，節(jié)省了超過20mm2板級空間。這種封裝的高度僅為0.8mm，使得該器件適合于極小形狀系數(shù)的便攜電子產(chǎn)品設(shè)計。 來源:零八我的愛
號供應(yīng)比較充足，暫時沒有缺貨現(xiàn)象。市場略微有些飽和，其價格近期明顯有小幅下跌。所報參考價區(qū)間為：1.3元/pcs~2.6元/pcs。 基本參數(shù)： 型號：irfbc40a 所屬類別：晶體管 品牌：ir 封裝：to-220 fet型：mosfet n通道，金屬氧化物 fet特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型 開態(tài)rds（最大）@ id, vgs @25°c：1.2歐姆@3.7a, 10v 漏極至源極電壓(vdss)：600v 電流-連續(xù)漏極(id) @25°c：6.2a id時的vgs(th)（最大）：4v @ 250μa 閘電荷(qg) @ vgs：42nc @ 10v 在vds時的輸入電容(ciss)：1036pf @ 25v 功率-最大：125w 安裝類型：通孔 封裝/外殼：to-220-3 包裝：管件 安裝類型：表面貼裝
6經(jīng)r12進(jìn)行放電，可避免電源進(jìn)線端l、n上帶電。鑒于top227y在關(guān)斷的瞬間，高頻變壓器的漏感會產(chǎn)生尖峰高壓，現(xiàn)利用 vd1、r13、cll組成的鉗位電路，再由穩(wěn)壓管vdzl～vdz3對漏一源電壓uds進(jìn)行鉗位。上述措施能有效地保護(hù)功率mosfet不受損壞。高頻變壓器次級的兩個線圈分別為n2s和n2b。濾波電感l(wèi)1的兩個共模繞組依次為l1a和llb。利用l1a和llb的互感能增加l1的等效電感量，對共模干擾具有更強(qiáng)的抑制作用。n2a上的電壓經(jīng)過vd2、l1a和cl5整流濾波，可獲得+12v、6.2a的穩(wěn)壓輸出。vd2選用murl610a型超快恢復(fù)二極管，平均整流電流id=16a，反向耐壓urm=100v，反向恢復(fù)時間trr=35ns，采用to～220封裝。vd6和vd5均為續(xù)流二極管。n2b的電壓通過vd3、l1b和c2，整流濾波后，可獲得+5v、15a的穩(wěn)壓輸出。為提高對高頻大電流進(jìn)行整流時的效率，vd3采用了mbr3045型肖特基共陰對管，將內(nèi)部的兩只管子并聯(lián)使用。其主要參數(shù)如下：id=30a，urm=45v，trr<10ns，to一220封裝。c14和r8能抑制vd5上的高頻衰
肯定存在一個問題你的電路額定電壓5.0v，設(shè)允許偏差±5％，裕度+5％。即最高非故障電壓5.5v。你的tvs額定反向截止電壓5.0v±5％，即最小4.75v。由于5.5v＞4.75v，所以極易出現(xiàn)tvs工作在雪崩區(qū)而損壞！這個東西不知是何人設(shè)計，當(dāng)屬明顯設(shè)計缺陷。若我來選擇，取vwm＝5.0*1.2＝6.0（v）。即選smbj6.0a、6.2a、6.3a或其他相近的標(biāo)準(zhǔn)型號。
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