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；壩刂試規程iso/iec 10373） 某些類型的塑料的形狀與大小，隨大氣溫度的變化而明顯改變。因此，卡滿足標準的能力也必須在這些條件下測試。測試時，卡平放在一表面上而改變溫度與濕度，測試條件為-35℃，+50℃和+25℃時相對濕度為5％以及＋25℃時相對濕度為95％，每次在這些條件中暴露ω分鐘后，檢驗尺寸與形狀相對于標準值的改變。 15，觸點位置 （根據：iso 7816－2；測試規程：iso/iec 10373） 這項測試用來測量觸點的位置。卡被放置到一平面上并受到2.2n±0.2n之力。接著，使用一種預期精度至少為0.05mm的方法測量觸點相對于卡的邊緣的位置。 16，光透明度 （根據：iso 7810；測試規程：iso/iec 10373） 某些卡具有嵌入薄膜上的光學條碼。這項測試宜于用來決定覆蓋層和卡體的其余部分的透明度。卡的一面用光源照明，在另一面用靈敏度為900nm光的檢測器測量光的傳輸。 17，觸點表面輪廓 （根據：iso 7816－1/2；測試規程：iso/iec 10373） 這項測試把單個觸點的表面的輪廓與卡其
在初級mos開通后到穩態時的電壓為vo+ui/n,(vo為輸出電壓，ui輸入電壓，n為變壓器初次級匝比)，因為我們設計的rc的時間參數遠小于開關周期，可以認為在一個吸收周期內，rc充放電能到穩態，所以每個開關周期，其吸收損耗的能量為：次級漏感尖峰能量+rc穩態充放電能量，近似為rc充放電能量=c*(vo+ui/n)^2(r上消耗能量，每個周期充一次放一次)，所以rc吸收消耗的能量為 fsw*c*(vo+ui/n)^2,以dc300v輸入，20v輸出，變壓器匝比為5，開關頻率為100k，吸收電容為2.2nf為例，其損耗的能量為2.2n*(20+300/5)^2*100k=1.4w ; 采用rcd吸收，因為采用rcd吸收，其吸收能量包括兩部分，一部分是電容c上的dc能量，一部分就是漏感能量轉換到c上的尖峰能量，因為漏感非常小，其峰值電流由不可能太大，所以能量也非常有限，相對來講，只考慮r消耗的直流能量就好了，以上面同樣的參數，c上的直流電壓為vo+ui/n=80v，電阻r取47k，其能量消耗為0.14w，相比上面的1.4w，“低碳”效果非凡。 再談談這兩種吸收電路的特點及其他吸收電路：
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