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SILICON POWER RECTIFIER
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Silicon Power Rectifier
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SILICON POWER RECTIFIER
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同時sh的高電平使φ1電極下的深勢阱與mos電容存儲勢阱溝通。mos電容中的信號電荷包通過轉移柵轉移到模擬移位寄存器的φ1電極下的勢阱中。當φsh由高變低時，φsh低電平形成的淺勢阱將存儲柵下的勢阱與φ1電極下的勢阱隔離開。存儲柵勢阱進入光積分狀態，而模擬移位寄存器將在φ1與φ2脈沖的作用下驅使轉移到φ1電極下的勢阱中的信號電荷向左轉移，并經輸出電路由os電極輸出。dos端輸出補償信號。 由于結構上的安排，os端首先輸出 13個虛設單元信號，再輸出51個暗信號，然后才連續輸出sl到s2160的有效像素單元信號。第s2160信號輸出后，又輸出9個暗信號，再輸出2個奇偶檢測信號，以后是空驅動。空驅動的數目可以是任意的。由于該器件是兩列并行分奇偶傳輸的，所以在一個sh周期中至少要有1 118個φ1脈沖。rs為復位級的復位脈沖，復位一次輸出一個信號。 3．2驅動電路設計 驅動電路的作用是給ccd提供正常工作所需要的邏輯時序脈沖和偏置工作電壓．并在ccd的輸出端把光電轉換得到的電荷量轉變成電壓量輸出。驅動脈沖信號的波形、相位、前后沿時間等對器件工作有很大影響。 為了保證cc
使φ1 電極下的深勢阱與mos 電容存儲勢阱溝通。 如圖3 所示，mos 電容中的信號電荷包通過轉移柵轉移到模擬移位寄存器的φ1 電極下的勢阱中。當 φsh 由高變低時，φsh 低電平形成的淺勢阱將存儲柵下勢阱與φ1 電極下的勢阱隔離開。存儲柵勢阱進入光 積分狀態，而模擬移位寄存器將在φ1 與φ2 脈沖的作用下驅使轉移到φ1 電極下勢阱中的信號電荷向左轉移， 并經輸出電路由os 電極輸出。由于結構上的安排，os 端首先輸出13 個虛設單元信號，再輸出51 個暗信號， 然后才連續輸出s1 到s2160 的有效像素單元信號。第s2160 信號輸出后，又輸出9 個暗信號，再輸出2 個奇 偶檢測信號，以后便是空驅動。空驅動數目可以是任意的。由于該器件是兩列并行分奇、偶傳輸的，所以在 一個φsh 周期內至少要有1118 個φ1 脈沖，即tsh>1118t1。φr 為復位級的復位脈沖，復位一次輸出一個 信號。 （2）驅動電路。tcd1206ud 的驅動電路如圖4 所示： 由晶體振蕩器構成的脈沖信號源產生主時鐘φm。φm 脈沖經或編程邏輯器件isplsi 產生φsh、φ
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