內存硅片邏輯（芯片邏輯）

與我們后面介紹dimm的物理bank相區別也稱之為邏輯bank（logical bank）。由于工藝上的原因，這個陣列不可能做得太大，所以一般內存芯片中都是將內存容量分成幾個陣列來制造，也就是說存在內存芯片中存在多個邏輯bank，隨著芯片容量的不斷增加，邏輯bank數量也在不斷增加，目前從32mb到1gb的芯片基本都是4個，只有早期的16mbit和32mbit的芯片采用的還是2個邏輯bank的設計，譬如三星的兩種16mb芯片：k4s161622d （512k x 16bit x 2 bank）和k4s160822dt（1m x 8bit x 2 bank）。芯片組本身設計時在一個時鐘周期內只允許對一個邏輯bank進行操作（實際上芯片的位寬就是邏輯bank的位寬），而不是芯片組對內存芯片內所有邏輯bank同時操作。邏輯bank的地址線是通用的，只要再有一個邏輯bank編號加以區別就可以了（bank0到bank3）。但是這個芯片的位寬決定了一次能從它那里讀出多少數據，并不是內存芯片里所有單元的數據一次全部能夠讀出，下圖就是一個容量為32mb（256mbit）內存芯片內部邏輯bank結構示意圖，從中你可以更清楚邏