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c是 pfc 電路rms輸入電壓;vout是直流輸出電壓。 在實際應用中,計算igbt在類似pfc電路中的傳導損耗將更加復雜,因為每個開關周期都在不同的ic上進行。igbt的vce(sat)不能由一個阻抗表示,比較簡單直接的方法是將其表示為阻抗rfce串聯一個固定vfce電壓,vce(ice)=ice×rfce+vfce。 圖5中的示例僅考慮了ccm pfc電路的傳導損耗,即假定設計目標在維持最差情況下的傳導損耗小于15w。以fcp11n60 mosfet為例,該電路被限制在5.8a,而fgp20n6s2 igbt可以在9.8a的交流輸入電流下工作。它可以傳導超過mosfet 70% 的功率。 雖然igbt的傳導損耗較小,但大多數600v igbt都是pt (punch through,穿透) 型器件。pt器件具有ntc (負溫度系數)特性,不能并聯分流。igbt 在開通過程中,大部分時間是作為mosfet 來運行的,只是在漏源電壓uds 下降過程后期, pnp 晶體管由放大區至飽和,又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間, tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通