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飛兆半導體公司 (fairchild semiconductor) 推出同步降壓轉換器芯片組，其設計特別利用最新的 imvp (英特爾移動電壓定位) 技術規范，在筆記本電腦中優化效率和空間。通過飛兆半導體的powertrench® mosfet技術，高端“控制”mosfet (fds6298) 和低端“同步”mosfet (fds6299s) 會構成一個芯片組，為同步降壓轉換器應用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，fds6299s器件的單片電路syncfet™ 技術毋須使用外部肖特基二極管，因此能節省電路板空間和裝配成本。 飛兆半導體計算解決方案市務經理david grey稱：“飛兆半導體powertrench技術支持的功能集能夠提高效率。在同步降壓轉換器應用中，性能通常由效率來衡量。更高的效率往往意味著芯片的溫度較低、可靠性更高，以及是改善電磁兼容性或emi的指標。我們的技術還減小了由直通引起的大電流尖峰的出現，故此減少了信號振蕩和電磁噪聲輻射。此外，與需要外部肖特基二極管的解決方案相比，飛兆半導體的fds6298/fds6299s芯片組利用配對的集成式sync
飛兆半導體公司 (fairchild semiconductor) 推出同步降壓轉換器芯片組，其設計特別利用最新的 imvp (英特爾移動電壓定位) 技術規范，在筆記本電腦中優化效率和空間。通過飛兆半導體的powertrench® mosfet技術，高端“控制”mosfet (fds6298) 和低端“同步”mosfet (fds6299s) 會構成一個芯片組，為同步降壓轉換器應用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，fds6299s器件的單片電路syncfet™ 技術毋須使用外部肖特基二極管，因此能節省電路板空間和裝配成本。 這種集成芯片組的米勒電荷 (miller) qgd極低，并具有快速的開關速度和小于1的qgd / qgs比，以限制交叉導通 (cross-conduction) 損耗的可能性。除了vcore設計之外，快速開關fds6298和低導通阻抗rds(on) fds6299s提供了配對使用的好處，非常適合于高端通信設備等應用中的大電流負載點 (pol) 轉換器。 fds6298 (高端) mosfet的主要性能特性包括：
據介紹，通過powertrench mosfet技術，高端“控制”mosfet(fds6298)和低端“同步”mosfet(fds6299s)構成了一個芯片組，為同步降壓轉換器應用提供更大電流密度和更高效率。此外，fds6299s器件的單片電路syncfet技術無須使用外部肖特基二極管，節省了電路板空間和裝配成本。 該集成芯片組的米勒電荷(miller)qgd極低，并具有快速的開關速度和小于1的qgd/qgs比，限制了交叉導通(cross-conduction)損耗的可能性。除vcore設計之外，快速開關fds6298和低導通阻抗rds(on)fds6299s提供了配對使用的好處，適用于高端通信設備等應用的大電流負載點(pol)轉換器。 fds6298(高端)mosfet的主要性能特性包括：低總qg(9nc @ vgs=4.5v)和qgd(3nc @ vgs=4.5v)，并具有快速開關速度，能提高效率；優化的芯片和引線框架設計，能降低封裝阻抗和電感、減小傳導損耗及源極端電感開關損耗；規范的rg和100%的rg測試實現優良的漏源開關特性。 fds6299s(低端)mosfet的主
飛兆半導體再次榮獲《今日電子》雜志的十大 dc-dc 2007產品大獎，獲評審小組肯定而勝出的產品是飛兆半導體全面優化的集成式12v驅動器加mosfet功率級解決方案fdmf8700。飛兆半導體的30v同步降壓轉換器芯片組fds6298和fds6299s則于2006年獲得相同獎項。 fdmf8700將驅動器ic和兩個功率mosfet集成在一個節省空間的8mm x 8mm的56腳mlp封裝中，適用于高電流同步降壓dc-dc應用。飛兆半導體的集成式器件帶有fet動態性能、系統電感和總體導通電阻的驅動器，能夠優化全部的開關功率級，大大減少與傳統分立式解決方案相關的封裝寄生和電路板布線問題。此外，這種集成器件能夠顯著節省電路板空間，最大限度地提高占位面積的功率密度。較之于分立元件，fdmf8700可節省達50%的電路板空間。 對于空間受限的應用，比如臺式電腦、媒體中心pc、超密集服務器、刀片服務器、先進的游戲系統、圖形卡、網絡和電信設備，以及其它dc/dc應用，飛兆半導體的多芯片模塊提供了理想的解決方案，并以intel™ drmos規范為基礎。 fdmf8700的重要意義在
飛兆半導體公司 (fairchild semiconductor) 推出同步降壓轉換器芯片組，其設計特別利用最新的 imvp (英特爾移動電壓定位) 技術規范，在筆記本電腦中優化效率和空間。通過飛兆半導體的powertrench® mosfet技術，高端“控制”mosfet (fds6298) 和低端“同步”mosfet (fds6299s) 會構成一個芯片組，為同步降壓轉換器應用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，fds6299s器件的單片電路syncfet™ 技術毋須使用外部肖特基二極管，因此能節省電路板空間和裝配成本。 飛兆半導體計算解決方案市務經理david grey稱：“飛兆半導體powertrench技術支持的功能集能夠提高效率。在同步降壓轉換器應用中，性能通常由效率來衡量。更高的效率往往意味著芯片的溫度較低、可靠性更高，以及是改善電磁兼容性或emi的指標。我們的技術還減小了由直通引起的大電流尖峰的出現，故此減少了信號振蕩和電磁噪聲輻射。此外，與需要外部肖特基二極管的解決方案相比，飛兆半導體的fds6298/fds6299s芯片組利用配對
飛兆半導體公司 (fairchild semiconductor) 榮獲《今日電子》雜志頒發2006年十大dc-dc 產品獎。獲獎的產品是 30v 同步降壓轉換器芯片組fds6298和fds6299s，該芯片組利用了最新的英特爾移動電壓定位 (intel mobile voltage positioning, imvp) 技術規格，能大大優化筆記本電腦的效率和空間。 通過飛兆半導體的 powertrench® mosfet 技術，高端 “控制” mosfet (fds6298) 和低端 “同步” mosfet (fds6299s) 構成了一個芯片組，為同步降壓轉換器應用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，fds6299s 器件的單片電路 syncfet™ 技術毋須使用外部肖特基二極管 (schottky diode)，因此能節省電路板空間和裝配成本。 飛兆半導體在北京舉辦的 “2006 功率模塊技術研討會”的特別典禮上獲頒這個獎項。這些獎項是為鼓勵中國的電源技術應用而設立的。 飛兆半導體計算解決方案市務經理 david
飛兆半導體公司 (fairchild semiconductor) 榮獲《今日電子》雜志頒發2006年十大dc-dc 產品獎。獲獎的產品是 30v 同步降壓轉換器芯片組fds6298和fds6299s，該芯片組利用了最新的英特爾移動電壓定位 (intel mobile voltage positioning, imvp) 技術規格，能大大優化筆記本電腦的效率和空間。 通過飛兆半導體的 powertrench® mosfet 技術，高端 “控制” mosfet (fds6298) 和低端 “同步” mosfet (fds6299s) 構成了一個芯片組，為同步降壓轉換器應用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，fds6299s 器件的單片電路 syncfet™ 技術毋須使用外部肖特基二極管 (schottky diode)，因此能節省電路板空間和裝配成本。 飛兆半導體在北京舉辦的 “2006 功率模塊技術研討會”的特別典禮上獲頒這個獎項。這些獎項是為鼓勵中國的電源技術應用而設立的。 飛兆半導體計算解決方案市務經理 david
十大dc-dc功率產品大獎。 根據嚴格的評選標準，評審小組所選出的飛兆半導體fan5355產品是一款數字可編程降壓轉換器，能為動態電壓調節 (dvs) 應用提供業界最高效率。所有獲選產品必須展現創新的設計、重大的技術或應用進步，以及在價格和性能方面有杰出表現。《今日電子》設立這些獎項的目的是為了鼓勵中國電源技術的廣泛應用。去年，飛兆半導體全面優化的集成式12v驅動器加mosfet的功率級解決方案fdmf8700贏得相同的獎項，在2006年獲獎的產品則是飛兆半導體的30v同步降壓轉換器芯片組fds6298和 fds6299s。 飛兆半導體中國和東南亞區銷售副總裁陳坤和表示：“全球對于能減少功耗、進而改善環境的技術需求顯著增加。飛兆半導體作為功率專家the power franchise?，正處于應對這些技術挑戰的前沿位置。我們很高興看到飛兆半導體為解決這些難題所作的努力得到業界認可，獲頒這個殊榮。”《今日電子》十大dc-dc產品大獎的頒獎典禮經已在北京舉行的第七屆中國國際電源產業大會上舉行。 fan5355是800ma/1000ma 3mhz降壓轉換器，采用專有的超快速架構設計，其靜
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