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HITACHI
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HITACHI [Hitachi Semiconductor]
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2SK3418-E
Silicon N Channel MOS FET High Speed...
RENESAS [Renesas Technology Corp]
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，但沒有辦法避免，在mos管的驅動電路設計時再詳細介紹。 2、mos管導通特性 導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。 nmos的特性，vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4v或10v就可以了。 pmos的特性，vgs小于一定的值就會導通，使用與源極接vcc時的情況(高端驅動)。但是，雖然pmos可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用nmos。 右圖是瑞薩2sk3418的vgs電壓和vds電壓的關系圖。可以看出小電流時，vgs達到4v，ds間壓降已經很小，可以認為導通。 3、mos開關管損失 不管是nmos還是pmos，導通后都有導通電阻存在，因而在ds間流過電流的同時，兩端還會有電壓(如2sk3418特性圖所示)，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的mos管會減小導通損耗。現在的小功率mos管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。 mos在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。mos
麻煩一些，但沒有辦法避免，在mos管的驅動電路設計時再詳細介紹。 2、mos管導通特性 導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。 nmos的特性，vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4v或10v就可以了。 pmos的特性，vgs小于一定的值就會導通，使用與源極接vcc時的情況(高端驅動)。但是，雖然pmos可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用nmos。 下圖是瑞薩2sk3418的vgs電壓和vds電壓的關系圖。可以看出小電流時，vgs達到4v，ds間壓降已經很小，可以認為導通。 3、mos開關管損失 不管是nmos還是pmos，導通后都有導通電阻存在，因而在ds間流過電流的同時，兩端還會有電壓(如2sk3418特性圖所示)，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的mos管會減小導通損耗。現在的小功率mos管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。 mos在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。mos兩端的電
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