| 型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫(kù)存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
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| RFD16N05LSM |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RFD16N05SM |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RFD16N05LSM9A |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RFD16N05SM9A |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RFD16N05SM |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RFD16N05LSM9A |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RFD16N05LSM |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RFD16N05LSM |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| RFD16N05SM |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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