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eeprom的上拉電阻多大合適？ |
| 作者：行星 欄目：單片機 |
我用AT24C04的EEPROM芯片，5V供電，上拉電阻為8.2K可是總是不行，請問是上拉電租的問題嗎？上拉電阻應該用多大比較好？ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： liudewei 于 2005/7/4 16:19:00 發布：
5K左右就可以，我一直用10k沒問題 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： 香如故 于 2005/7/4 19:48:00 發布：
我沒有接電阻,也可以用啊 51i/o口p1,p2,p3內部有上拉電阻 |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： qjy_dali 于 2005/7/4 19:49:00 發布：
那要看你想把I2C的速度定在多少 |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： d1276 于 2005/7/4 21:02:00 發布：
不會吧，是和51CPU連接嗎？不用上拉電阻也可以的，能達到400K 你的程序有問題吧？ 如果能讀出，不能寫入，是不是寫的時候，保護腳不是低電平？ |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： 行星 于 2005/7/5 9:17:00 發布：
謝謝樓上的，我用的是51單片機 我用的是51單片機的p1.2,p1.3兩個i/o口，收和發都是多字節，每次16個字節，但是程序跑不通？不知哪里出了問題？ |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： xwj 于 2005/7/5 12:19:00 發布：
不是上拉電阻的問題，檢查程序！ |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： 行星 于 2005/7/5 15:20:00 發布：
我的保存EEPROM子程序是這樣的，可是不知為什么不對？ ;**************************************** ;將XRAM中的數據保存在對應鍵值的EEPROM中 ;占用內部資源： R0，R1，R2，R3，ACC，Cy, R4,R5,R6 ;入口參數：SUBA器件子地址,KRYNUM, SLA,NUMBYTE,MTD ;出口參數： ;使用前須定義變量： SLA 器件從地址 SUBA器件子地址 NUMBYTE讀／寫的字節數 ，MTD發送緩沖區 ;*************************************** SAVE_XRAM_EEPROM: MOV A,KEYNUM MOV B,#16 MUL AB MOV SUBA,A MOV SLA,#AT24C04 MOV NUMBYTE,#16 ;--------------------傳送16字節到緩沖區 ; ;XRAM的起始地址0000H MOV WRITE_TMP,#00H MOV R1,#MTD ; MOV R5,#16 MOV R0,WRITE_TMP ;裝發送緩沖區16個數據 W_T1: MOVX A,@R0 MOV @R1,A INC R0 INC R1 DJNZ R5,W_T1 MOV WRITE_TMP,R0 LCALL IWRNBYTE ;保存在EEPROM中 MOV A,SUBA INC A MOV SUBA,A ;裝下一頁地址到SUBA中 MOV R5,#16 MOV R1,#MTD MOV R0,WRITE_TMP ; MOV R6,WRITE_TMP CJNE R0,#00H,W_T1 ;共寫入256個字節 RET ;###################################################################### 我的程序那里不對啊？怎么數據總是不對？ |
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